考虑工艺偏差的容软错误锁存器设计

• 作者: 王志 申思远 黄正峰
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 锁存器 软错误 单粒子效应 工艺偏差
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 15-21
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

随着集成电路工艺尺寸的不断降低，CMOS电路越来越容易受到单粒子效应的影响并产生软错误．为了降低电路软错误率，提出一种高可靠的容软错误锁存器．该锁存器采用分离反相器P、N管栅极的方法构建内部冗余存储节点使其对SEU完全免疫，并且进行了滤波设计使其可以屏蔽SET ．HSPICE的仿真结果表明，与其他加固结构相比，该锁存器在综合考虑容错性能和开销时有明显的优势，而且受到工艺偏差和温度的影响较小．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄正峰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	101	590	14.0	19.0
2	王志	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	5	8	2.0	2.0
3	申思远	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	6	2.0	2.0