一种新颖的抗辐射加固SR锁存器设计

• 作者: 王佳 胡永才 苏霖 郑然 高武 魏晓敏
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 振荡器 SR锁存器 辐射加固 三模冗余
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 页码范围: 136-140
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

为了设计出抗辐射加固的DC-DC开关电源振荡器,其中SR锁存器的抗辐射性能至关重要,提出了一种新颖的抗辐射加固SR锁存器电路.该抗辐射加固SR锁存器基于空间冗余设计的思想,已经在标准商用2P5M 0.25μm工艺下设计和验证,电路版图面积为130μm×50μm,能够抗最大的总剂量效应为100 kRad(Si),可以承受的最大线性能量传输LET为85 MeV-cm2/mg.相比于三模冗余SR锁存器,所设计的抗辐射加固SR锁存器电路的晶体管数目更少,电路节点的临界电荷更大,在电路节点同时发生多处翻转的情况下,抗单粒子翻转的成功率更高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑然	西北工业大学计算机学院	27	92	5.0	8.0
2	魏晓敏	西北工业大学计算机学院	14	38	3.0	5.0
3	高武	西北工业大学计算机学院	20	119	7.0	9.0
4	王佳	西北工业大学计算机学院	16	60	5.0	7.0
5	苏霖	西北工业大学计算机学院	1	2	1.0	1.0