0.18μm工艺下单粒子加固锁存器的设计与仿真

• 作者: 岳素格 李玉红 林任 梁国朕 赵元富
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子 锁存器 低功耗 敏感点
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.12.018

摘要

在近年国际上出现的两种记忆单元DICE (Dual Interlocked storage cell)和GDICE(DICE with guardgates)基础上,设计了两种抗单粒子加固锁存器,称为DICE锁存器和GDICE锁存器,加工工艺为0.18μm.对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量,降低了功耗,增强了抗单粒子瞬态(single event transient,SET)能力.分别对比了两种锁存器的优缺点.建立了一种单粒子瞬态仿真模型,将该模型连接到锁存器的敏感点,仿真测试了这两种锁存器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,得到一些对版图设计有意义的建议.通过比较得知:如果没有特殊版图设计,在单个敏感点被打翻时,DICE锁存器和GDICE锁存器的抗单粒子翻转能力比较强;而在两个敏感点同时被打翻时,抗单粒子翻转能力将比较弱.但如果考虑了特殊版图设计,那么这两种锁存器抗单粒子翻转的优秀能力就能体现出来.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵元富		28	104	6.0	8.0
2	岳素格		28	96	5.0	8.0
3	李玉红		2	19	2.0	2.0
4	梁国朕		1	14	1.0	1.0
5	林任		1	14	1.0	1.0