采用0.18μm CMOS工艺的多端口SRAM设计

• 作者: 候朝焕 刘岩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 多端口 单位线 SRAM 电流模式
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 页码范围: 103-105,109
• 页数: 4页
• 分类号: TP302
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.09.031

摘要

文章详细描述了一种采用0.18μm CMOS工艺的多端口单位线SRAM设计方法.与传统的6T SRAM结构相比,在写数据时增加了写节点充电信号,降低了内核CMOS器件设计的复杂度;在读数据时增加了额外的读位线放电电路,减少了读数据延迟;同时读写数据均采用电流模式,降低功耗,较好的解决了多端口SRAM存取数据时存在的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘岩	中国科学院声学所	72	581	12.0	22.0
5	候朝焕		2	4	1.0	2.0