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高精度SRAM端口时序参数测量电路的设计与实现
高精度SRAM端口时序参数测量电路的设计与实现
作者:
李恒
王琴
蒋剑飞
原文服务方:
微电子学与计算机
时序参数测量
建立/保持时间
数据读取时间
数字时间转换器
摘要:
对一种普通的数字时间转换器(Digital‐to‐Time Converter ,DTC)进行了改进,能实现对输入信号延时的两级调节,一级粗调,一级精调,在SM IC 130 nm工艺下,调节范围为0~2.0 ns ,调节精度达到5 ps ,同时减少了一半的面积,优化了结构的非线性误差.利用改进后的DTC结构,设计了两种测量方案,分别实现了对SRAM输入端口的建立时间、保持时间及输出端口的数据读取时间的测量.仿真结果表明,该电路对SRAM 各个端口时序参数测量的误差小于3.33%.
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文献信息
篇名
高精度SRAM端口时序参数测量电路的设计与实现
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
时序参数测量
建立/保持时间
数据读取时间
数字时间转换器
年,卷(期)
2016,(7)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
125-128,132
页数
5页
分类号
TN492
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
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姓名
单位
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被引次数
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G指数
1
蒋剑飞
上海交通大学微电子学院
29
89
3.0
9.0
2
王琴
上海交通大学微电子学院
74
297
11.0
16.0
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李恒
上海交通大学微电子学院
6
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时序参数测量
建立/保持时间
数据读取时间
数字时间转换器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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