基于延时链的高精度SRAM时序参数测量电路

• 作者: 姜彬 张敏敏 毛志刚 王琴 蒋剑飞
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 延时链 SRAM时序参数 SOC
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 18-20,25
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

本文提出并实现了一种用于测量SRAM时序参数的延时链电路,在SMIC 130 nm工艺下精度可以达到4.9 ps.该延时链电路包括可调链路和固定链路,可调链路由可编程粗调单元和精调单元组成,固定链路由固定单元组成.并将待测SRAM和测量电路集成入SOC系统中,从而实现SRAM的建立、保持和读写时间切换测量的功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛志刚	上海交通大学电子信息与电气工程学院	82	249	9.0	12.0
2	蒋剑飞	上海交通大学电子信息与电气工程学院	29	89	3.0	9.0
3	王琴	上海交通大学电子信息与电气工程学院	74	297	11.0	16.0
4	姜彬	上海交通大学电子信息与电气工程学院	3	0	0.0	0.0
5	张敏敏	上海交通大学电子信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0