10Gb/s0.18μm CMOS工艺复接器设计

• 作者: 吴明赞 张伟 李竹 黄锦安
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 复接器 D锁存器 CMOS工艺 时钟偏差
• 年，卷（期）: 2006,（24）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.24.006

摘要

介绍一种超高速4∶1复接器集成电路.电路采用0.18 μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V.电路采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL),与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度.为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器.在设计中采用有源电感的并联峰化技术有效地提高了电路的工作速度.仿真结果表明电路工作速度可达10 Gb/s,复接器芯片面积约为970×880 μm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴明赞	南京理工大学自动化系电路与系统教研室	42	266	9.0	13.0
2	李竹	南京理工大学自动化系电路与系统教研室	21	106	6.0	9.0
3	黄锦安	南京理工大学自动化系电路与系统教研室	18	84	6.0	8.0
4	张伟	南京理工大学自动化系电路与系统教研室	30	170	6.0	12.0