10 Gb/s 0.18 μm CMOS时钟恢复芯片

• 作者: 冯军 王志功 王骏峰 袁晟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 预处理 时钟恢复 CMOS
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 434-437
• 页数: 4页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 1467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.04.026

摘要

介绍了基于0.18 μm CMOS工艺的10 Gb/s时钟恢复电路的设计.核心电路采用预处理加简单锁相环的结构.模拟结果表明,该电路能工作在10 GHz频率上,输入信号峰值0.4 V时,同步范围可以达到270 MHz,总功耗210 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	冯军	东南大学射频与光电集成电路研究所	77	348	9.0	12.0
3	王骏峰	东南大学射频与光电集成电路研究所	6	14	3.0	3.0
4	袁晟	东南大学射频与光电集成电路研究所	5	10	2.0	3.0