基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计

• 作者: 吴玉平 陈天佐 陈岚
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 锗硅 高速比较器 主从锁存器 精度
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 51-54
• 分类号: TN433
• 语种: 中文

摘要

基于预放大正反馈锁存比较理论,给出了一种8bit 8Gs/s高速比较器的设计.该比较器采用预放大器结构以提高分辨率、加快比较过程,采用主从锁存器降低亚稳态发生概率,采用输出缓冲器改善输出波形、提供测试接口;在HHNEC 0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,采用Cadence Spectre进行仿真,结果显示,该比较器精度为4mV,输出摆幅±300mV,锁存时间37ps,过驱动恢复时间22ps,功耗约57mW,表现出良好的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈岚	中国科学院微电子研究所	86	361	10.0	14.0
2	陈天佐	中国科学院微电子研究所	2	2	1.0	1.0
3	吴玉平	中国科学院微电子研究所	8	10	2.0	3.0