基于SiGe BiCMOS工艺近红外光电探测器的研制

• 作者: 宋奇伟 毛陆虹 谢生
• 来源期刊: 光通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 标准SiGe BiCMOS工艺 PIN光电探测器 光电晶体管
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 光器件
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN491
• 字数: 3781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2015.08.001

摘要

基于IBM 7WL标准0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了两款近红外光电探测器——PIN光电探测器和异质结光电晶体管,利用器件仿真工具ATLAS对因主要工艺参数的变化导致其性能的影响进行了具体分析,并流片实现,芯片面积均为50μm×50μm.测试结果表明,在850nm入射波长及3.3V的反偏电压条件下,PIN光电探测器及光电晶体管的响应度可分别达到0.01A/W和0.4A/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
3	宋奇伟	天津大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0