基于SiGe-0.13μm X波段高效率功率放大器

• 作者: 刘昱 崔凯 张海英 李志强
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: BVCBO BVCEO Class-E SiGe 功率放大器
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 页码范围: 82-86,92
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

基于IBM SiGe 0.13 μm BiCMOS工艺,设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs class E功放,在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率附加效率.利用SiGe堆叠E类结构来增加整体的电压摆幅,每个管子都是工作在安全操作区域,同时电压是超过BVceo的,进一步加大了功放的输出功率.设计了级间匹配网络,既保持了输出级比较高的击穿电压,又兼顾了功放的性能.在10 GHz工作频率下,功放的峰值PAE达到了47.4%,同时其输出功率达到21.43 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志强	中国科学院微电子研究所	53	335	11.0	15.0
3	崔凯	中国科学院微电子研究所	22	142	8.0	11.0
6	刘昱	中国科学院微电子研究所	21	76	5.0	7.0