VDMOSFET特征导通电阻的数学模型

• 作者: 王中文 石广源 高嵩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: VDMOSFET 特征导通电阻 数学模型
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 页码范围: 157-159
• 页数: 3页
• 分类号: TN312
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.07.042

摘要

对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型-等效截面模型.给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系,并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较,与实验结果符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	王中文	辽宁大学物理系	18	108	6.0	9.0
3	高嵩	辽宁大学物理系	16	117	6.0	10.0