低压VDMOSFET导通电阻的优化设计

• 作者: 张颖 石广元 赵野 高嵩
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 单胞尺寸 特征电阻 VDMOSFET
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 247-252
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2001.03.014

摘要

对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响.通过这些分析和计算,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则,并给出了低压条件下最佳单元尺寸.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高嵩	辽宁大学物理系	16	117	6.0	10.0
2	张颖	辽宁大学物理系	18	52	4.0	6.0
3	赵野	辽宁大学物理系	2	10	2.0	2.0
4	石广元	辽宁大学物理系	4	12	2.0	3.0