VDMOSFET的终端优化设计

• 作者: 孙嘉兴 杨颖 林爽
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOSFET 结终端 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 228-231
• 页数: 4页
• 分类号: TN861.3
• 字数: 2789字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2006.03.011

摘要

主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙嘉兴	辽宁大学物理系	17	52	5.0	6.0
2	林爽	辽宁大学物理系	2	11	2.0	2.0
3	杨颖	辽宁大学物理系	1	9	1.0	1.0