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高压VDMOSFET的最佳设计
高压VDMOSFET的最佳设计
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摘要：
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,缰过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,Tox与RonA的关系曲线.首次提出RonA与PW/PT有最佳比例关系.
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内容分析
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文献信息
| 篇名 | 高压VDMOSFET的最佳设计 | ||
| 来源期刊 | 辽宁大学学报（自然科学版） | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 功率VDMOSFET 导通电阻 特征电阻 单胞 | ||
| 年，卷（期） | 2004,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 367-370 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | TN386.1 |
| 字数 | 2282字 | 语种 | 中文 |
| DOI | 10.3969/j.issn.1000-5846.2004.04.021 | ||
五维指标
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
功率VDMOSFET
导通电阻
特征电阻
单胞
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
辽宁大学学报(自然科学版)
主办单位：
辽宁大学
出版周期：
季刊
ISSN：
1000-5846
CN：
21-1143/N
开本：
大16开
出版地：
沈阳市皇姑区崇山中路66号
邮发代号：
8-147
创刊时间：
1974
语种：
chi
出版文献量（篇）
1909
总下载数（次）
2
总被引数（次）
9019
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