VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)

• 作者: 张雯 阎冬梅
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOSFET 特征导通电阻 设计
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 字数: 3070字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2004.01.011

摘要

以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp-和Tox的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张雯	辽宁大学法学院	13	71	5.0	8.0
2	阎冬梅	辽宁大学信息学院	3	11	2.0	3.0