低阻VDMOSFET的优化设计与制造

• 作者: 王中文 石广源 罗华 阎冬梅 高嵩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: VDMOSFET 设计 单胞密度 制造
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 58-59,78
• 页数: 3页
• 分类号: TN6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.09.015

摘要

文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计.给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构.单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%.这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%.最后对研制结果进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源		39	119	6.0	8.0
2	王中文		18	108	6.0	9.0
3	高嵩		16	117	6.0	10.0
4	罗华	哈尔滨学院物理与电子工程系	16	49	4.0	6.0
5	阎冬梅		3	11	2.0	3.0