低压VDMOSFET元胞尺寸设计

• 作者: 刘建朝 屈坤 淮永进
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: VDMOSFET 特征电阻 窗口扩散区长度Lw 多晶硅栅长度LP
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 77-79,84
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.12.021

摘要

VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻.理论分析了多晶硅栅长度Lp和窗口扩散区长度Lw对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度Lw的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屈坤		1	5	1.0	1.0
2	淮永进		3	14	2.0	3.0
3	刘建朝		1	5	1.0	1.0