一款VDMOS半超结元胞结构的设计

• 作者: 冯全源 刘铭 庄圣贤
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 特征导通电阻 栅漏电容 击穿电压 半超结
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 49-53
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和两者之间的矛盾.通过调节工艺条件,经过三次外延注入生长形成P柱,并采用增大外延层浓度和改善电荷平衡的方式,来达到减小元胞结构的特征导通电阻和提高击穿电压的目的.最终实现了1005V的耐压,特征导通电阻102.91 mΩ* cm2,栅漏电容5.65 pF/cm2,阈值电压3.45V的元胞结构,降低了超结结构的工艺难度,并获得较优的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	庄圣贤	西南交通大学微电子研究所	98	421	11.0	14.0
3	刘铭	西南交通大学微电子研究所	9	15	2.0	3.0