一种600V高压超结VDMOS结构设计与优化

• 作者: 王琳 王立新 王荣超 罗家俊 邢心润
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 超结VDMOS 比导通电阻 击穿电压 结构优化
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 页码范围: 67-72
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于电荷补偿原理的超结VDMOS(Super-Junction VDMOS,SJVDMOS)器件,比传统的VDMOS具有更低的比导通电阻,更高的击穿电压.文中详细介绍了超结VDMOS元胞设计步骤,之后借助TCAD仿真对超结VDMOS的击穿电压和比导通电阻进行了深入优化,探究了电荷不平衡、漂移区厚度、衬底反向扩散以及表面结构等对击穿电压和比导通电阻的影响.对元胞结构的优化使得超结VDMOS由最初的击穿电压为587V,比导通电阻为7.27 mΩ·cm2,优化到最终的击穿电压为662.5V,比导通电阻为6.85mΩ·cm2,性能得到明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王琳	中国科学院微电子研究所	130	1264	16.0	33.0
10	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
14	罗家俊		28	56	5.0	5.0
15	王荣超	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
24	邢心润	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0