700 V VDMOS终端失效分析与优化设计

• 作者: 冯全源 干红林 王丹
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 垂直双扩散金属氧化物半导体器件 失效分析 微光显微镜 终端结构
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 86-89,93
• 分类号: TN386|TN406
• 语种: 中文

摘要

通过电测、微光显微镜(EMMI)漏电流定位和扫描电子显微镜(SEM)形貌分析等手段,对一款700 V垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件进行失效分析(FA).基于Sentaurus TCAD仿真平台进行验证,找到击穿电压失效的主要原因.在改进终端结构的过程中,通过对电流密度、电场、静电势和空间电荷等仿真模型的分析,进一步发现造成耐压不足的场板(FP)结构问题,并提出有效的改进办法.最终,经过优化得到一款耐压770 V、硅表面电场分布均匀可靠的终端结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	王丹	西南交通大学微电子研究所	52	211	8.0	12.0
3	干红林	西南交通大学微电子研究所	4	12	3.0	3.0