低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计

• 作者: 刘文辉 白朝辉
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 功率VDMOS 阈值电压 特征电阻 MOSFET
• 年，卷（期）: 2007,（14）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 163-166
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.14.056

摘要

介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算.此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白朝辉		5	33	3.0	5.0
2	刘文辉		9	9	2.0	2.0