利用TSUPREM-4对低压VDMOS进行虚拟制造

• 作者: 王标 白朝辉
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 低压VDMOS TSUPREM-4 工艺模拟 导通电阻
• 年，卷（期）: 2007,（15）
• 所属期刊栏目: 工控技术
• 页码范围: 161-163
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.15.055

摘要

介绍了低压VDMOS的结构和各个参数及相互间的关系,并按TSUPREM-4工艺仿真软件的工艺流程顺序给出了各步工艺的设计思路、方法、注意事项.对外延层厚度进行了计算,并用该软件实现了耐压55 V,导通电阻11 MΩ的低压VDMOS器件结构的工艺设计,绘出了仿真结构图.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白朝辉		5	33	3.0	5.0
2	王标		2	12	2.0	2.0