利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造

• 作者: 孙嘉兴 宁润涛 张俊松 胡子阳 赵庆哲
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 虚拟制造 工艺参数 终端保护环
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TP386.1
• 字数: 2054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2006.01.012

摘要

通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙嘉兴	辽宁大学物理系	17	52	5.0	6.0
2	张俊松	辽宁大学物理系	8	25	3.0	4.0
3	胡子阳	辽宁大学物理系	2	6	1.0	2.0
4	宁润涛	辽宁大学物理系	2	6	1.0	2.0
5	赵庆哲	辽宁大学物理系	1	6	1.0	1.0