1 000 V VDMOS的优化设计研究

• 作者: 孙伟锋 王佳宁
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 关态击穿电压 特征导通电阻 优化设计
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 759-761,765
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.008

摘要

主要是寻找一种优化设计1 000 V的VDMOS的方法.通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型,找到影响器件静态特性的主要参数:外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深,针对以上主要参量的模拟,最终达到优化设计1 000 V的器件.通过用Rat=BV/Rdss来衡量优化程度,可以得到用穷举法模拟的相同结果并且模拟更简便、快捷.最终得到耐压1 080 V,特征导通电阻为3.418 76E4 mΩ·mm2的优化器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	王佳宁	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	4	10	1.0	3.0