一种900 V JTE结构 VDMOS终端设计

• 作者: 冯全源 石存明 陈晓培
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 终端 结终端扩展 缓变结 击穿电压
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 129-132
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管（Vertical Double‐diffused Metal‐Oxide‐Semiconductor Field Tran‐sistor ，VDMOS）是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电压，由于工艺限制，元胞区域只能设计为突变结，而终端区域最常用的结构为场限环，在原理上也相当于突变结耐压．结合结终端扩展（Junction Termination Exten‐sion ，JTE）技术，引入缓变结耐压，设计了一款900 V的终端结构，实现了992．0 V的仿真击穿电压，终端效率达到了98．6％，而且有效终端长度仅有130．2μm ，在较大程度上减小了芯片的占用面积，提高了击穿电压，而且工艺流程与成熟的深阱场限环基本一致，有较好的兼容性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
3	石存明	西南交通大学微电子研究所	3	9	3.0	3.0