单区JTE加场板终端结构的优化设计

• 作者: 冯全源 潘晓伟 陈晓培
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 结终端扩展 复合场板 VDMOS 击穿电压 表面最大电场 界面态电荷
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2724字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.11.009

摘要

为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展(JTE)与复合场板技术设计了一款700V VDMOS的终端结构.借助Sentaurus TCAD仿真软件,研究单区JTE注入剂量、JTE窗口长度和金属场板长度与击穿电压的关系,优化结构参数,改善表面和体内电场分布,提高器件的耐压.最终在120.4 μm的有效终端长度上实现了838 V的击穿电压,表面最大电场为2.03×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿的表面最大电场值(2.5×105 V/cm),受界面态电荷的影响小,具有较高的可靠性,且与高压深阱VDMOS工艺兼容,没有增加额外的掩膜和工艺步骤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
3	潘晓伟	西南交通大学微电子研究所	1	1	1.0	1.0