一款600V VDMOS终端结构的设计

• 作者: 冯全源 胡玉松 陈晓培
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 功率器件 终端 表面电场 耐压
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 129-132
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

设计了一款600 V VDM OS功率器件的终端保护环结构，采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值，且表面电场分布均匀．在159μm终端长度上仿真实现了670 V的耐压，表面电场最大值为2．36e5 V*cm -1，提高了终端的可靠性；工艺简单，同时没有增加额外的掩膜与步骤．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
3	胡玉松	西南交通大学微电子研究所	2	18	2.0	2.0