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一款600V VDMOS终端结构的设计
一款600V VDMOS终端结构的设计
作者:
冯全源
胡玉松
陈晓培
原文服务方:
微电子学与计算机
功率器件
终端
表面电场
耐压
摘要:
设计了一款600 V VDM OS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670 V的耐压,表面电场最大值为2.36e5 V*cm -1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.
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文献信息
篇名
一款600V VDMOS终端结构的设计
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
功率器件
终端
表面电场
耐压
年,卷(期)
2014,(6)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
129-132
页数
4页
分类号
TN386
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
冯全源
西南交通大学微电子研究所
261
1853
19.0
26.0
2
陈晓培
西南交通大学微电子研究所
11
31
3.0
5.0
3
胡玉松
西南交通大学微电子研究所
2
18
2.0
2.0
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功率器件
终端
表面电场
耐压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
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