原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
设计了一款600 V VDM OS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670 V的耐压,表面电场最大值为2.36e5 V*cm -1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.
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文献信息
篇名 一款600V VDMOS终端结构的设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 功率器件 终端 表面电场 耐压
年,卷(期) 2014,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 129-132
页数 4页 分类号 TN386
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯全源 西南交通大学微电子研究所 261 1853 19.0 26.0
2 陈晓培 西南交通大学微电子研究所 11 31 3.0 5.0
3 胡玉松 西南交通大学微电子研究所 2 18 2.0 2.0
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终端
表面电场
耐压
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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