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摘要:
采用横向变掺杂(Varied Lateral Doping, VLD)终端设计,通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端,并讨论了线性掺杂曲线与终端耐压之间的关系,最终在此基础上设计了一款900 V VDMOS功率器件。在140μm终端长度上仿真实现了947 V的耐压,且最大表面电场强度为1.65×105 V/cm,有效提高了终端的可靠性;与传统功率器件的制造工艺兼容,同时没有增加额外的掩膜与工艺步骤。
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文献信息
篇名 一款900VVDMOS的VLD终端结构设计
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 功率器件 终端 VLD 掺杂曲线 耐压 可靠性
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 43-46
页数 4页 分类号 TN386
字数 2515字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.02.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯全源 西南交通大学微电子研究所 261 1853 19.0 26.0
2 高晓蓉 西南交通大学物理科学与技术学院 220 1956 23.0 34.0
3 吴克滂 西南交通大学微电子研究所 2 8 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
功率器件
终端
VLD
掺杂曲线
耐压
可靠性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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