一款700 V VDMOSFET结终端结构设计

• 作者: 冯全源 李宏杰 陈晓培
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 结终端结构 场限环 场板 结终端面积 最大表面场强 击穿电压
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 3118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.10.021

摘要

为了提高功率器件结终端击穿电压,节约芯片面积,设计了一款700 V VDMOSFET结终端结构.在不增加额外工艺步骤和掩膜的前提下,该结构采用场限环-场板联合结终端技术,通过调整结终端场限环和场板的结构参数,在151 μm的有效终端长度上达到了772V的击穿电压,表面电场分布相对均匀且最大表面场强为2.27× 105V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5× 105 V/cm).在保证相同的击穿电压下,比其他文献中同类结终端结构节约面积26％,实现了耐压和可靠性的要求,提高了结终端面积的利用效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	李宏杰	西南交通大学微电子研究所	3	20	3.0	3.0
3	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0