一款800VVDMOS终端结构的设计

• 作者: 冯全源 刘铭 庄圣贤 陈晓培
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 终端结构 场限环 场板 结深 表面电场 击穿电压
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 3169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.06.017

摘要

设计了一款800 V VDMOS终端结构，采用场限环（FLR）与场板（FP）相结合的方式，在场限环上添加多晶硅场板与金属场板，有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构，在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压，最大表面电场为2.34×105 V/cm，小于工业界判断器件击穿场强标准（2.5×105 V/cm），且电场分布比较均匀，终端结构的稳定性和可靠性高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	庄圣贤	西南交通大学微电子研究所	98	421	11.0	14.0
3	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
4	刘铭	西南交通大学微电子研究所	9	15	2.0	3.0