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摘要:
设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。
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文献信息
篇名 一款800VVDMOS终端结构的设计
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 终端结构 场限环 场板 结深 表面电场 击穿电压
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 66-69
页数 4页 分类号 TN303
字数 3169字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.06.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯全源 西南交通大学微电子研究所 261 1853 19.0 26.0
2 庄圣贤 西南交通大学微电子研究所 98 421 11.0 14.0
3 陈晓培 西南交通大学微电子研究所 11 31 3.0 5.0
4 刘铭 西南交通大学微电子研究所 9 15 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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场板
结深
表面电场
击穿电压
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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