JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究

• 作者: 傅兴华 张芳
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 碳化硅 肖特基二极管 Silvaco 结终端扩展结构
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 170-172
• 分类号: TN311+.8-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2012.09.052

摘要

借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD).其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力.研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响.通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅兴华		57	181	8.0	9.0
5	张芳		1	6	1.0	1.0