Ni/4H-SiC肖特基二极管高温特性研究

• 作者: 周拥华 张义门 张玉明 王悦湖 王雷 陈锐标
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒二极管 伏安特性 热电子发射理论
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 63-66,75
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.01.016

摘要

采用自行研制的工作在800℃的半导体器件高温测试装置,对Ni/4H-SiC肖特基二极管的伏安特性在常温297 K至677 K的温度范围内进行了测量,表明温度升高对正向特性的影响非常显著,而对较低偏置(30 V以下)条件下的反向特性影响则比较小.对实验结果进行了比较分析,I-V特性测量说明镍4H-SiC肖特基二极管有较好的整流特性,在正向偏压条件下,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子在297～677 K的温度范围内从1.165增加到1.872,肖特基势垒高度的变化范围为0.916～2.117 eV,正向导通电压为0.5 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	王雷	西安电子科技大学微电子所	9	64	5.0	8.0
4	王悦湖	西安电子科技大学微电子所	10	20	2.0	4.0
5	陈锐标	西安电子科技大学微电子所	2	13	1.0	2.0
6	周拥华	西安电子科技大学微电子所	3	24	2.0	3.0