高压4H—SiC肖特基二极管的模拟及研制

• 作者: 张发生 李欣然
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 肖特基势垒二极管 结终端扩展 模拟 击穿耐压 实验
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 47-50
• 分类号: TN311
• 语种: 中文

摘要

结终端技术能提高4H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李欣然	湖南大学电气与信息工程学院	232	4917	41.0	61.0
2	张发生	湖南大学电气与信息工程学院	13	49	5.0	6.0