一种新结构硅TPJBS二极管的器件与工艺仿真

• 作者: 张海鹏 王彬 程雨 齐瑞生
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: TPJBS 功率器件 电学特性
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 7-11,74
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2018.01.002

摘要

为了满足电子与电气系统中较高反压快恢复二极管的应用需求,提出了一种硅沟槽P型结势垒肖特基复合二极管(TPJBS)新结构.对该TPJBS的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真试验、测试与优化,结果表明,与传统肖特基快恢复二极管(SBD)相比,经过优化的TPJBS器件的通态电流、导通电阻、通态压降等特性均有明显改善.其中,其反向泄漏电流密度降低了5～7个数量级,击穿电压则提高1倍多,更适用于需要较高反压快速恢复二极管的电子与电气系统的应用.为了验证该TPJBS的可制造性,采用半导体器件与工艺仿真软件TCAD对该TPJBS进行虚拟制造,结果表明,在目前的超薄片功率半导体工艺条件下,经过优化的TPJBS器件具有一定的可制造性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院	36	96	5.0	7.0
2	王彬	杭州电子科技大学电子信息学院	16	38	4.0	5.0
3	程雨	杭州电子科技大学电子信息学院	1	1	1.0	1.0
4	齐瑞生		1	1	1.0	1.0