4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

• 作者: 张义门 张书霞 张林 张玉明 汤晓燕 王悦湖
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 肖特基二极管 γ射线 探测器 数值模拟 灵敏度
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 854-858
• 页数: 5页
• 分类号: O472|TL816
• 字数: 3464字
• 语种: 中文

摘要

在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度.模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015 cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9 C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9 C/Gy.计算结果与实验数据符合得较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门		4	32	3.0	4.0
2	张书霞	西安武警工程学院通信系	2	22	2.0	2.0
3	张林		1	10	1.0	1.0
4	张玉明		3	22	2.0	3.0
5	汤晓燕		1	10	1.0	1.0