低压VDMOS金属层电阻的模拟分析

• 作者: 夏洋 王立新
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS Dracula 电阻模型
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及电路
• 页码范围: 783-785
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 951字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.011

摘要

通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型,并对此模型进行Hspice模拟,确定了金属层厚度大于5 μm时,金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小.同时提出了双层金属工艺方法,实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0
2	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0