VDMOS的导通电阻模型

• 作者: 姜艳 沈克强 陈龙
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 导通电阻 VDMOS 模型 MEDICI
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件
• 页码范围: 537-541
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.039

摘要

导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标.从VDMOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法.采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通过考察载流子运动规律,求解泊松方程,结合器件结构与边界条件建立外延层模型.该方法物理概念清晰,规避了经验参数,考虑了器件结构参数对导通电阻的影响.该模型与MEDICI模拟结果相比较有良好的一致性.