具有超低导通电阻阶梯槽型氧化边VDMOS新结构

• 作者: 张波 李肇基 杨银堂 段宝兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阶梯氧化边 VDMOS 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 677-681
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.013

摘要

基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布,并增强了电荷补偿效应.在低于300V击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有超低的比导通电阻.分析结果表明:较Liang Y C提出的一般槽型氧化边结构,器件击穿电压提高不小于20%的同时,比导通电阻降低40%～60%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
3	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
4	段宝兴	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	52	4.0	5.0