CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

• 作者: 刘亚媚 袁寿财
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CoolMOS 超级结器件 导通电阻 击穿电压 VDMOS
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 各种电路设计、分析及应用
• 页码范围: 1219-1222
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.038

摘要

为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成.在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降.导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低.由于CoolMOS的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS.本文对CoolMOS导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS横向器件:Ron·A=C·V2B,对纵向器件:Ron·A=C·VB,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron·A=C·V2.5B的关系相比,CoolMOS的导通电阻降低了约两个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁寿财	赣南师范学院物理与电子信息学院	18	39	3.0	5.0
2	刘亚媚	赣南师范学院物理与电子信息学院	7	13	2.0	3.0