条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型

• 作者: GAO Yue SHI Guang-yuan 张俊松 钟玲
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOSFET 条形栅 特征导通电阻 物理模型
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 197-199
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 1159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2008.03.002

摘要

详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张俊松	辽宁大学物理学院	8	25	3.0	4.0
2	钟玲	辽宁大学物理学院	3	3	1.0	1.0
3	GAO Yue	沈阳炮兵学院地方教育部	1	3	1.0	1.0
4	SHI Guang-yuan	沈阳炮兵学院地方教育部	1	3	1.0	1.0