UDMOSFET特征导通电阻物理模型

• 作者: 王中文 王洪岩
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: UDMOSFET 导通电阻 特征电阻
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2006.01.013

摘要

简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,重点讨论了特征导通电阻()与结构参数的关系,给出了的数学模型.该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王中文	辽宁大学物理系	18	108	6.0	9.0
2	王洪岩	辽宁大学物理系	1	6	1.0	1.0