VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系

• 作者: 王中文 石广源 高嵩
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 功率VDMOSFET 导通电阻 特征电阻 单胞
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 字数: 2342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2003.01.010

摘要

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为20 V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线.首次提出最佳单胞尺寸与Tox有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	王中文	辽宁大学物理系	18	108	6.0	9.0
3	高嵩	辽宁大学物理系	16	117	6.0	10.0