低压VDMOSFET特征导通电阻的研究

• 作者: 杨建华 格日乐图 霍东权
• 来源期刊: 内蒙古民族大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: VDMOSFET 特征导通电阻 Rch Ra Rj Re
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 教学研究
• 页码范围: 462-464
• 页数: 3页
• 分类号: O441
• 字数: 1464字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0185.2004.04.034

摘要

比较系统地分析了正六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍东权	内蒙古民族大学物理与机电学院	2	3	1.0	1.0