六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型

• 作者: 王中文 石广源 高嵩
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 六角形单胞 功率VDMOSFET 特征导通电阻
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2003.01.008

摘要

介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型,计算了不同漏源击穿电压下,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例,分析了阻值随电压变化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	王中文	辽宁大学物理系	18	108	6.0	9.0
3	高嵩	辽宁大学物理系	16	117	6.0	10.0