VDMOSFET低导通电阻改良研究

• 作者: 陆宁
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOSFET 引线孔 SOFT-ETCH 导通电阻 刻蚀
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 36-38
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1331字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.11.010

摘要

文章通过对VDMOSFET导通电阻模型的分析,结合VDMOSFET芯片生产过程中用到的等离子刻蚀工艺理论,探索通过优化刻蚀工艺以改善VDMOSFET器件导通电阻的途径.文中以实际VDMOSFET生产的引线孔刻蚀工艺为例,阐述了通过SOFT-ETCH工艺,改善接触孔表面损伤以达到降低VDMOSFET导通电阻的实现方法,通过详实的实验数据对比,证实SOFE-ETCH工艺对导通电阻的改良作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆宁		2	5	1.0	2.0