阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究

• 作者: 孙晓红 胡善文 陈强 陈文兰 高怀
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: LDMOS 漂移区 浅沟槽隔离 击穿电压
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 56-60
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文兰	东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心	2	2	1.0	1.0
2	高怀		2	4	1.0	2.0