基于RESURF理论的SOI LDMOS 耐压模型研究

• 作者: 刘军 孙玲玲 李文钧 王皇 申屠旭丹 苗田乐 郑伟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI LDMOS 模型 RESURF TCAD
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 17-20
• 分类号: TN3
• 字数: 582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.01.004

摘要

对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sentaurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压.