SOI基双级RESURF二维解析模型

• 作者: 张波 方健 李泽宏 李肇基 郭宇锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI双极RESURF 击穿电压 模型
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 764-769
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.026

摘要

提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,doping optimal region),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构.根据此模型,对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究,并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真.以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOI LDMOS.解析解、数值解和实验结果吻合得较好.