SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型

• 作者: 王志功 郭宇锋
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SOI高压互连线 电场分布 击穿电压
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 22-26,43
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2008.03.005

摘要

高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一.首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极PN结的物理本质,指出通过优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式.模型的正确性通过半导体二维器件仿真软件MEDICI进行了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	郭宇锋	东南大学射频与光电集成电路研究所	59	281	8.0	14.0